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Si7370DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.0
0.6
100
80
I D = 250 μA
0.2
60
- 0.2
40
- 0.6
- 1.0
- 1.4
20
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Juncion-To-Ambient
100
10 μs
Limited by
R DS(on) *
100 μs
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
T C = 25 °C
Single Pulse
10 s
100 s, DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V DS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 58 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 4
10- 3
10- 2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 71874
S09-0270-Rev. F, 16-Feb-09
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